深圳市鑫业新光电有限公司
型号 |
3535 |
产地 |
深圳 |
封装 |
玻璃封装 |
批号 |
20200713 |
1301121901 |
加工定制 |
是 |
|
功率 |
0.03-0.08w |
电压 |
6-7V |
输入电流 |
0.06A |
厂家 |
鑫业新光电 |
深圳市鑫业新光电有限公司是键盘鼠标行业LED产品的供应厂商,一直为各大提供更全面、更节能环保、更绚丽的LED产品以及灯光解决方案。
21世纪照明工程正在开发的GaN类LED构造。要想提高LED的外部量子效率,减少LED中的结晶缺陷是关键。与不加工蓝宝石底板的普通方法相比,LEPS技术(在沿(11—20)或(1—100)方面加工出道的蓝宝石底板上形成GaN类LED的技术)可以减少约1/3的结晶缺陷。
使用400nm波长,有望提高荧光体的 RGB转换效率。其理由是RGB各自的波长与紫外光之间的波长差距较小。波长差距越大,波长转换前后的光能量差也就越大。这一能量差将转换成热量,终会减少转换成光的能量。白色LED本身的外部量子效率方面, “很有可能还是波长400nm的光”
为了解决LED因紫外光而出现的性能恶化现象,在封装过程中采用了不使用树脂材料的方法。通过将LED芯片装入金属封装内,不使用任何封装材料直接用金属盖封住。这种方法此前该公司一直在GaN类蓝紫色半导体激光器中采用。由于此前作为封装材料使用的环氧类树脂材料在紫外光的作用下,容易出现树脂性能恶化的现象,导致透明性降低,从而使得LED亮度也随之降低。
在国家863计划支持下,课题研究团队集中开展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作,着重解决材料存在的表面裂纹、晶体质量差、铝组分低、无法实现短波长发光和结构材料设计等问题,在一些关键技术方面取得了突破,获得了高结晶质量无裂纹的高铝组分材料。在此基础上,课题在国内成功制备了300nm以下的深紫外LED器件,实现了器件的毫瓦级功率输出,开发了深紫外杀菌模块,经测试杀菌率达到95%以上。
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